پیشروتلاشگران » فروشگاه » ترانزیستور » آی جی بی تی » آی جی بی تی FGH60N60 SFD پکیج دیپ

آی جی بی تی FGH60N60 SFD پکیج دیپ

آی جی بی تی FGH60N60 SFD پکیج دیپ

در صورتی که سفارشات تیپاکس تا ساعت 15 ثبت شوند، بسته همان روز و سفارشات پستی نیز 24 ساعت پس از ثبت، ارسال خواهند شد. کد رهگیری هم برای مشتری پیامک می شود.

مهلت تست و بررسی قطعات تا 48 ساعت پس از دریافت آنها می باشد. همچنین توجه داشته باشید که محصولاتی که تست شده و لحیم خورده باشند دیگر شامل گارانتی نخواهند بود.

کد کالا 441 /N دسته بندی ,

341,000 تومان 335,000 تومان 1.76% تخفیف

300 در انبار

300 در انبار

آی جی بی تی FGH60N60 SFD پکیج دیپ

در صورتی که سفارشات تیپاکس تا ساعت 15 ثبت شوند، بسته همان روز و سفارشات پستی نیز 24 ساعت پس از ثبت، ارسال خواهند شد. کد رهگیری هم برای مشتری پیامک می شود.

مهلت تست و بررسی قطعات تا 48 ساعت پس از دریافت آنها می باشد. همچنین توجه داشته باشید که محصولاتی که تست شده و لحیم خورده باشند دیگر شامل گارانتی نخواهند بود.

کد کالا 441 /N دسته بندی ,
وزن 10 گرم
حداکثر ولتاژ

600 ولت

حداکثر جریان

60 آمپر

ترانزیستور آی جی بی تی FGH60N60 SFD پکیج دیپ IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)، ترکیبی از ویژگی‌های MOSFET در درگاه گیت و ترانزیستور BJT میباشد.

آی جی بی تی پکیج DIP با پایه‌های صاف و سه ردیف پایه از بالا یا کنار برای استفاده در بوردهای آزمایشگاهی یا سیستم‌های مونتاژ شده مناسب است و نسبت به TO-220 یا DPAK ابعاد کوچکتری دارد و راحت‌تر در مدارهای تست با پایه‌گذاری روی سوراخ‌دارهای PCB یا Breadboard جای می‌گیرد.

ویژگی های ترانزیستور IGBT FGH60N60 SFD

  • ولتاژ تجمعی (Collector-Emitter Voltage, Vce): معمولا در حدود 600V یا بالاتر برای مدل‌های 600V-class؛ در برخی نسخه‌ها ممکن است 650V یا 1200V باشد. با این مدل خاص، معمولاً Vce max around 600V است.
  • جریان کلکتور (Collector Current, Ic): آمپر نامی‌ای در حدود چند آمپر تا چند ده آمپر. بسته به نسخه DIP و حاشیه حرارتی، ممکن است 4–8A یا بیشتر باشد.
  • مقاومت روشن/خاموش گیت (Gate threshold و عملکرد): گیت برای اشغال حالت روشن باید ولتاژ گیت نسبت به سورس (Vge) حدود 4V تا 6V باشد تا IGBT به وضعیت روشن برسد. گیت دارای مقاومت ورودی معمولاً در حدود چند کیلو‌اهم است.
  • تلفات و بهینگی: IGBTها معمولاً کارایی مناسب در سوئیچینگ با فرکانس‌های پایین تا متوسط دارند، با افت توان ناشی از هیت‌سینک و افزوده‌های پخش حرارتی

کاربردهای آی جی بی تی FGH60N60 SFD :

  • منابع تغذیه سوئیچینگ با ولتاژ بالا: برای تبدیل 400–600V DC به سطوح دیگر در بخش‌های ورودی/خروجی.
  • درایور موتورهای DC و BLDC با استفاده از اینتگرهای IGBT در این پیکربندی.
  • اینورترهای کوچک تا متوسط برای کنترل سرعت در صنایع سبک.
  • کنترل‌های قدرت در آزمایشگاه و پروژه‌های آموزشی که DIP پکیج را ترجیح می‌دهند به دلیل سهولت استفاده و دسترسی به پایه‌ها.

مزایا و نکات استفاده

مزایا:

  • توانایی کنترل مستقیم جریان‌های نسبتاً بالا با گیت که نسبت به ترانزیستورهای MOSFET ساده‌تر است.
  • مناسب برای سوئیچینگ در ولتاژ بالا با مصرف گیت کم نسبت به برخی ترانزیستورهای BJT معمولی.
  • پکیج DIP برای مونتاژهای آموزشی و پروتوتایپ‌ها مناسب است.

نکات طراحی:

  • مدیریت حرارتی: IGBTها در حالت روشن حرارت تولید می‌کنند؛ برای DIP، استفاده از هیت‌سینک کوچک یا تهویه مناسب توصیه می‌شود.
  • تأمین گیت با منبع مطمئن: از لحاظ حفاظتی، معمولاً از مدارات با حفاظت گیت/شوک گرمایی و مقاومت ورودی مناسب استفاده کنید تا از آسیب به گیت جلوگیری شود.
  • کنترل سوئیچینگ: در طراحی‌های سوئیچینگ باید به زمان روشن/خاموش و نویز گیت توجه کرد تا از بازگشت انرژی یا oscillation‌های ناخواسته جلوگیری شود.

دیدگاهها

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

اولین نفری باشید که دیدگاهی را ارسال می کنید برای “آی جی بی تی FGH60N60 SFD پکیج دیپ”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

شما باید وارد حساب خود شده باشید تا قادر به اضافه کردن تصاویر در نظرات باشید.