TGAN80N60F2DS یک نوع ترانزیستور IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) است که توسط شرکت Toshiba تولید می‌شود. این آی جی بی تی دارای ویژگی‌ها و مشخصات فنی برجسته‌ای است که آن را برای استفاده در کاربردهای قدرتی مناسب می‌کند.

ویژگی‌ها:

• کارایی بالا: برای استفاده در کاربردهای قدرتی با کارایی بالا طراحی شده است.
• افت ولتاژ کم: ولتاژ اشباع پایین که منجر به کاهش اتلاف انرژی می‌شود.
• سرعت سوئیچینگ سریع: مناسب برای کاربردهای فرکانس بالا.
• دمای کاری گسترده: مناسب برای محیط‌های صنعتی با دماهای مختلف.
• بسته‌بندی مقاوم: TO-3P که به منظور جلوگیری از اتلاف حرارت و کاربردهای قدرتی طراحی شده است.

کاربردها:

• مبدل‌های قدرت (Power Converters)
• منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)
• درایورهای موتور
• اینورترهای خورشیدی (Solar Inverters)
• سیستم‌های مدیریت باتری (BMS)
• تقویت‌کننده‌های قدرت (Power Amplifiers)

دیاگرام پین‌ها:

+-----+
       |     |
       | 1   |
       |     |
       |     |
       |     |
       | 2   |
       |     |
       |     |
       |     |
       |     |
       | 3   |
       +-----+

توضیحات پین‌ها:

1. پین 1 (G): گیت
2. پین 2 (C): کلکتور
3. پین 3 (E): امیتر

مدار نمونه:

در این مدار نمونه، از یک منبع تغذیه برای تحریک گیت استفاده می‌شود و کلکتور و امیتر به بار و منبع قدرت متصل می‌شوند:

Vcc (DC Supply)
      |
      |
      R (Resistor)
      |
      |
      G (پین 1)
      |
     ---
    |   |
    |   |--- C (پین 2)
    | TGAN80N60F2DS
    |   |
    |   |
     ---
      |
      |
      E (پین 3)
      |
     Load
      |
     GND